8英寸产线超高真空磁控溅射互联系统可以用于制备8英寸晶圆级高质量金属电极薄膜、磁性金属薄膜、氧化物介电材料、金属氮化物材料等。超高真空综合互联磁控溅射镀膜系统制备的材料在超高真空本底环境进行，材料氧含量低、杂质少、结晶性好、镀膜均匀性高，广泛用于超导器件、量子器件和自旋电子学的研究开发。
产品特点
多腔室互联，组合制备多层膜、本底真空可达 10-10 Torr、单基片设计，尺寸可调、基片可旋转，850℃、五靶枪，可升级强磁靶、溅射距离可调、防交叉污染设计、快速进样室，保证真空度、样品预清洗功能、自动压力控制系
8英寸产线超高真空磁控溅射互联系统可以用于制备8英寸晶圆级高质量金属电极薄膜、磁性金属薄膜、氧化物介电材料、金属氮化物材料等。超高真空综合互联磁控溅射镀膜系统制备的材料在超高真空本底环境进行，材料氧含量低、杂质少、结晶性好、镀膜均匀性高，广泛用于超导器件、量子器件和自旋电子学的研究开发。
产品特点
多腔室互联，组合制备多层膜、本底真空可达 10-10 Torr、单基片设计，尺寸可调、基片可旋转，850℃、五靶枪，可升级强磁靶、溅射距离可调、防交叉污染设计、快速进样室，保证真空度、样品预清洗功能、自动压力控制系
8英寸产线超高真空磁控溅射互联系统可以用于制备8英寸晶圆级高质量金属电极薄膜、磁性金属薄膜、氧化物介电材料、金属氮化物材料等。超高真空综合互联磁控溅射镀膜系统制备的材料在超高真空本底环境进行，材料氧含量低、杂质少、结晶性好、镀膜均匀性高，广泛用于超导器件、量子器件和自旋电子学的研究开发。
产品特点
多腔室互联，组合制备多层膜、本底真空可达 10-10 Torr、单基片设计，尺寸可调、基片可旋转，850℃、五靶枪，可升级强磁靶、溅射距离可调、防交叉污染设计、快速进样室，保证真空度、样品预清洗功能、自动压力控制系
8英寸产线超高真空磁控溅射互联系统可以用于制备8英寸晶圆级高质量金属电极薄膜、磁性金属薄膜、氧化物介电材料、金属氮化物材料等。超高真空综合互联磁控溅射镀膜系统制备的材料在超高真空本底环境进行，材料氧含量低、杂质少、结晶性好、镀膜均匀性高，广泛用于超导器件、量子器件和自旋电子学的研究开发。
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多腔室互联，组合制备多层膜、本底真空可达 10-10 Torr、单基片设计，尺寸可调、基片可旋转，850℃、五靶枪，可升级强磁靶、溅射距离可调、防交叉污染设计、快速进样室，保证真空度、样品预清洗功能、自动压力控制系
